欢迎来到 阿仪网

免费注册

首页 | 产品 | 求购 | 资讯 | 专题 | 找厂商 | 打听 | 人才 | 品牌 | 资料 | 技术文献 | 展会 | 耗材 | 配件 | 新品 | 促销 | 书籍 | 招标 | 优质仪器

您的位置:首页>仪器仪表资讯>实验室动态>我国新型垂直纳米环栅器件研究取得进展

我国新型垂直纳米环栅器件研究取得进展

2019/12/10编辑:Ma Liang 人气:2282

  【阿仪网 实验室动态】垂直纳米环栅晶体管是集成电路2纳米及以下技术代的主要候选器件,但其在提高器件性能和可制造性等方面面临着众多挑战。在2018年底举办的注册即领取38元体验金集成电路会议IEDM上,来自IMEC的Ryckaert博士将垂直纳米器件的栅极长度及沟道与栅极相对位置的注册送体验金的网址列为关键挑战之一。

  中国科学院微电子研究所先导中心研究员朱慧珑及其课题组从2016年起针对相关基础器件和关键工艺开展了系统研究,提出并实现了世界上首个具有自对准栅极的叠层垂直纳米环栅晶体管(Vertical Sandwich Gate-All-Around FETs或VSAFETs),获得多项中、美发明专利授权,研究成果近日发表在注册即领取38元体验金微电子器件领域期刊IEEE Electron Device Letters上(DOI: 10.1109/LED.2019.2954537)。

  朱慧珑课题组系统地研发了一种原子层选择性刻蚀锗硅的方法,结合多层外延生长技术将此方法用于锗硅/硅超晶格叠层的选择性刻蚀,从而精确地注册送体验金的网址纳米晶体管沟道尺寸和有效栅长;首次研发出了垂直纳米环栅晶体管的自对准高k金属栅后栅工艺;其集成工艺与主流先进CMOS制程兼容。课题组最终制造出了栅长60纳米、纳米片厚度20纳米的p型VSAFET。原型器件的SS、DIBL和电流开关比(Ion/Ioff)分别为86mV/dec、40mV和1.8×105。

  该项目部分得到中科院集成电路创新研究院项目(Y7YC01X001)的资助。

解读仪器仪表行业热点、呈现敏感事件、更多独家分析,尽在阿仪网微信,扫描二维码免费阅读。

微信号:ayiwangapp17

(来源: 中国科学院科技产业网 )

标签:

上一篇:中国科学院电工所研制出32.35T磁场超导磁体,打破世界记录 下一篇:“乙烷-CO2耦合转化高效催化剂及技术”在北京通过科技成果鉴定

为您推荐

图片视点

阿仪网2020年春节放假通知

优质产品

相关新闻:

版权申明:

凡本网注明"来源:阿仪网"的所有作品,版权均属于阿仪网,未经本网授权不得转载、摘编或利 用其它方式使用。已获本网授 权的作品,应在授权范围内使用,并注明"来源:阿仪网"。违者本网将追究相关法律责任。

本网凡注明"来源:xxx(非本网)"的作品,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其 真实性负责,且不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如其他媒体、网站或个人从本网下载使用 ,必须保留本网注明 的"稿件来源",并自负版权等法律责任。

如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起两周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

旗下频道

色谱仪 光谱仪 反应釜 试验箱 试验机 搅拌器 培养箱 离心机 水分测定 气体检测 量热仪 石油仪器 纯水器 比表面仪 温度记录 流量计 万用表 显微镜 粒度仪 测厚仪 硬度计 酸度计 元素分析 生物试剂 电线电缆 天平衡器 传感器 食品检测 压力仪表 电化学 测厚仪 阀门仪表 电力仪表 干燥设备 药物检测

注册即领取38元体验金